一种石墨化多壁碳纳米管提高复合薄膜介电常数的方法
公开
摘要
本发明公开了一种石墨化多壁碳纳米管提高复合薄膜介电常数的方法。在本发明中，该复合材料由聚酰亚胺为基体，GMWCNT为介电填料，以期制备出具有高介电常数的PI/GMWCNT复合薄膜材料。其中，GMWCNT所占的聚酰亚胺的体积分数为0.5‑3.13vol％。按照本发明的制备方法，能够使得聚酰亚胺复合薄膜获得较高的介电常数。另外，由于GMWCNT在基体中具有较好的分散稳定性，确保了PI/GMWCNT复合薄膜维持较低的介电损耗。本发明制备的高介电常数聚酰亚胺复合薄膜材料用于电子工业中高密度的能量存储装置。
基本信息
专利标题 ：
一种石墨化多壁碳纳米管提高复合薄膜介电常数的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114410111A
申请号 ：
CN202210095527.1
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李科彭明云黄丙亮程杰左文燕胡磊
申请人 ：
四川轻化工大学
申请人地址 ：
四川省自贡市自流井区汇兴路519号
代理机构 ：
北京百年育人知识产权代理有限公司
代理人 ：
张鹭丝
优先权 ：
CN202210095527.1
主分类号 ：
C08L79/08
IPC分类号 ：
C08L79/08 C08K3/04 C08J5/18 C08G73/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08L
高分子化合物的组合物
C08L79/00
不包括在C08L61/00至C08L77/00组内的，由只在主链中形成含氮的，有或没有氧或碳键的反应得到的高分子化合物的组合物
C08L79/04
在主链中具有含氮杂环的缩聚物；聚酰肼；聚酰胺酸或类似的聚酰亚胺母体
C08L79/08
聚酰亚胺；聚酯-酰亚胺；聚酰胺-酰亚胺；聚酰胺酸或类似的聚酰亚胺母体
法律状态
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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