一种体声波谐振装置及形成方法、滤波装置及射频前端装置，涉及半导体技术领域，其中形成方法包括：形成压电层，压电层包括第一侧和第二侧；在第一侧形成第一电极层；在第一侧形成第一层；在第二侧形成第二电极层；形成至少一个边缘结构，位于第一电极层和第二电极层重合部水平方向上的边缘；形成至少一个频移层；在第一侧形成空腔，空腔位于第一层与压电层之间，嵌入第一层，压电层覆盖空腔，第一电极层的至少一端位于空腔内。通过在体声波谐振装置引入频移介质，位于谐振区边缘部内，位于边缘结构与压电层之间，加厚边缘结构与压电层之间介质厚度，从而降低寄生谐振频率，实现把寄生谐振移出滤波装置的通带区。