声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置和射频前端装置
实质审查的生效
摘要
一种声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置和射频前端装置，涉及半导体技术领域，其中，声表面波谐振装置包括：压电基底，压电基底包括沿第一方向依次排布的第一总线区、第一间隔区、叉指重合区、第二间隔区和第二总线区；位于第一总线区、第一间隔区、第二间隔区和第二总线区内的粒子注入部；位于压电基底表面的电极层，包括：第一总线、第二总线、与第一总线连接的若干第一电极条、以及与第二总线连接的若干第二电极条，第一电极条和第二电极条在第二方向上交替排布，第一电极条位于第一间隔区和叉指重合区表面上，第二电极条位于第二间隔区和叉指重合区表面上。因此，可减少横向声波泄漏，提升声表面波谐振装置的并联Q值。
基本信息
专利标题 ：
声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置和射频前端装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114337590A
申请号 ：
CN202210189455.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-03-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邹雅丽王斌韩兴周建
申请人 ：
常州承芯半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN202210189455.7
主分类号 ：
H03H9/25
IPC分类号 ：
H03H9/25 H03H9/02 H03H9/145
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 9/25
申请日 : 20220301
申请日 : 20220301
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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