体声波谐振装置的形成方法
实质审查的生效
摘要
一种体声波谐振装置的形成方法，涉及半导体制造技术领域，包括：形成第一层，形成第一层包括：提供第一基底；一体形成第一电极材料层、压电层以及第二电极材料层；形成第一电极层；在压电层上形成空腔预处理层；形成第二层，形成第二层包括：提供第二基底；接合第一层和第二层；去除第一基底；形成第二电极层。压电层位于第二电极材料层上，第二电极材料层表面平坦，因此使压电层不包括明显转向的晶体，有助于提高谐振装置的机电耦合系数及谐振装置的Q值。第二基底的加工和有源层的加工分开进行，可使谐振装置的形成方法具有灵活性。一体形成第一电极材料层、压电层以及第二电极材料层。能够提升压电层或第二电极层的晶体质量。
基本信息
专利标题 ：
体声波谐振装置的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114337581A
申请号 ：
CN202210261365.4
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-03-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邹雅丽周建韩兴王斌
申请人 ：
常州承芯半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
张瑞
优先权 ：
CN202210261365.4
主分类号 ：
H03H9/02
IPC分类号 ：
H03H9/02 H03H9/13 H03H9/205 H03H3/02
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 9/02
申请日 : 20220317
申请日 : 20220317
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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