一种体声波谐振装置及形成方法、滤波装置及射频前端装置，涉及半导体技术领域，其中形成方法包括：形成压电层，压电层包括第一侧和第二侧；形成第一电极层，位于第一侧；形成第一层，位于第一侧，第一电极层位于第一层与压电层之间；形成第二电极层，位于第二侧；形成至少一个边缘结构，位于第一电极层和第二电极层的重合部水平方向上的边缘，至少一个边缘结构关于压电层在垂直方向上呈非对称结构；形成空腔，位于第一侧，空腔位于第一层与压电层之间，嵌入第一层，压电层覆盖空腔，第一电极层的至少一端位于空腔内。至少一个边缘结构所在的边缘部的声阻抗与至少一个边缘结构之间的中间部的声阻抗不匹配，可以阻隔横向模态下的漏波，提高Q值。