本发明提供了一种半导体设备用气浴系统包括壳体；壳体内分别设置第一紊流静压腔和第二紊流静压腔；第一紊流静压腔和第二紊流静压腔之间设置有气体发散层流腔和过滤器；第一紊流静压腔上设置有进气口；气体从进气口进入第一紊流静压腔后，经由气体发散层流腔进入第二紊流静压腔，最后经过过滤器流向壳体的外部；气体发散层流腔的深度小于第一紊流静压腔的深度和第二紊流静压腔的深度。本发明的半导体设备用气浴系统，将第一紊流静压腔、气体发散层流腔、第二紊流静压腔和过滤器设计在一个壳体中，且将过滤器设置在气流终端，可采用低压降过滤器，使得气浴系统整体压降小，压缩了设备的整体轮廓，提高了气流的洁净度并且改善了整机的温控效果。