光刻设备、气浴装置及其气浴发生器
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种光刻设备、气浴装置及其气浴发生器，其中气浴发生器包括封闭环体，所述封闭环体围绕工作区域设置，且所述封闭环体的内部形成环形流道，所述封闭环体上还设置有与所述环形流道连通的周向分布的出气口，所述出气口产生围绕所述工作区域分布的封闭气流层。本发明提供的气浴发生器能够用于光刻设备，并沿周向围绕光刻设备曝光区域设置，在曝光区域的周边形成一圈与外界隔离的封闭气流层，解决了如何降低光刻设备内位于曝光区域的硅片微环境的气体污染和颗粒污染的问题。
基本信息
专利标题 ：
光刻设备、气浴装置及其气浴发生器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114460814A
申请号 ：
CN202210068296.5
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王魁波吴晓斌韩晓泉罗艳沙鹏飞李慧孙家政谢婉露马赫谭芳蕊
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
张力
优先权 ：
CN202210068296.5
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20220120
申请日 : 20220120
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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