一种抑制负电容鳍式晶体管功函数变异影响的方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种抑制负电容鳍式晶体管功函数变异影响的方法。本发明通过在源/漏极与栅极之间引入两种不同介质和不同厚度的双层侧墙，形成在靠近金属栅极的一定区域内同时引入high‑k侧墙和low‑k侧墙的结构。本发明通过调节双层侧墙结构中的low‑k与high‑k侧墙的材料种类和厚度，增加有效栅极长度和栅极面积，从而有效的抑制金属栅极功函数的随机分布而导致的器件性能波动的问题，进而提高芯片的成品率和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种抑制负电容鳍式晶体管功函数变异影响的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551242A
申请号 ：
CN202210176512.8
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吕伟锋郭梦雪赵孟杰谢自强林弥
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
代理机构 ：
杭州奥创知识产权代理有限公司
代理人 ：
王佳健
优先权 ：
CN202210176512.8
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20220225
申请日 : 20220225
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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