一种稀土钕或镱掺杂YAG激光晶体的键合方法
公开
摘要
本发明公开了一种稀土钕或镱掺杂YAG激光晶体的键合方法，包括：S1：提供稀土掺杂的YAG激光晶体；S2：提供另一键合晶体；S3：对稀土掺杂的YAG激光晶体表面和另一键合晶体表面进行清洁；S4：对稀土掺杂的YAG激光晶体表面进行湿法刻蚀，以使得稀土掺杂的YAG激光晶体表面形成多个凹陷；S5：对另一键合晶体表面进行湿法刻蚀，以使得另一键合晶体表面形成多个凸起；S6：将具有多个凹陷的稀土掺杂的YAG激光晶体表面与具有多个凸起的另一键合晶体表面贴合以形成层叠体；S7：对层叠体进行加压加热键合。
基本信息
专利标题 ：
一种稀土钕或镱掺杂YAG激光晶体的键合方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114592240A
申请号 ：
CN202210200175.1
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林东晖彭方马孙明
申请人 ：
林东晖
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区井岗镇怀宁路1833号西山银杏花园16幢2103室
代理机构 ：
昆明合众智信知识产权事务所
代理人 ：
朱世新
优先权 ：
CN202210200175.1
主分类号 ：
C30B33/06
IPC分类号 ：
C30B33/06 C30B29/28 C30B29/20
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/06
晶体的接合
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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