一种基于流体控制技术的耐管壁沉积等离子体射流装置
公开
摘要
本发明公开了一种基于流体控制技术的耐管壁沉积等离子体射流装置，包括电源模块、工作气体源、辅助气体源、等离子体射流反应器与外辅助气路结构；混有反应媒质的工作气从介质管的气体输入口进入反应器；电极结构包括高压针电极和接地环电极；射流介质管外侧套有辅助气路，介质管上针环之间的区域设有多层微孔通道；辅助气体源的气体从外气路结构的气体输入口进入，气体流速大于工作气体，在圆孔处介质管内外压强差使沿介质管轴向排列的圆孔间区域减少薄膜沉积。本发明解决了等离子体射流进行化学气相沉积覆膜时，容易发生的射流介质管内壁薄膜沉积的问题，避免频繁更换射流介质管带来的时间浪费和高压放电安全隐患。
基本信息
专利标题 ：
一种基于流体控制技术的耐管壁沉积等离子体射流装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114615784A
申请号 ：
CN202210208443.4
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
祝曦管秀晗李方松方志
申请人 ：
南京工业大学
申请人地址 ：
江苏省南京市浦口区浦珠南路30号
代理机构 ：
南京源古知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郑宜梅
优先权 ：
CN202210208443.4
主分类号 ：
H05H1/24
IPC分类号 ：
H05H1/24 H05H1/34
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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