本发明公开了一种N型重掺锗单晶生长磷元素掺杂装置及方法，N型重掺锗单晶生长磷元掺杂装置，包括锗籽晶、锗铣磨片和锗盖板；锗籽晶包括支撑杆和支撑台，支撑杆垂直连接在支撑台顶部中央位置，支撑杆的直径小于支撑台的直径；锗铣磨片为锅形，锗铣磨片开口向上地设置，锗盖板活动盖设在锗铣磨片上；锗铣磨片底部中央设有第一通孔，锗盖板中央设有第二通孔，第一通孔的孔径小于支撑台的直径，支撑杆顶部依次穿过第一通孔和第二通孔后，锗铣磨片外侧底部落在支撑台上；锗籽晶、锗铣磨片和锗盖板所用材质均为锗，锗铣磨片内侧填充有红磷。本发明红磷挥发量少，实现了红磷的一次性大量掺杂；除了锗和磷没有其他元素参与，便于半导体单晶的质量控制。