一种电磁场辅助激光解键合的方法
公开
摘要
本发明公开了一种电磁场辅助激光解键合的方法，包括以下步骤：将键合的晶圆对置于电场和磁场中，其中，所述键合的晶圆对包括由光敏材料形成的键合层、承载晶圆和器件晶圆；采用激光发生器对所述键合的晶圆对的目标区域进行照射，使所述键合层产生的等离子体在电场和磁场的作用下向所述承载晶圆偏转。本发明基于激光诱导光敏材料产生的等离子体在电磁场中的可控运动，通过设置电场和磁场的方向和强度使等离子体在电磁场下向承载晶圆偏转，导致等离子体的浓度从承载晶圆至器件晶圆轴向上的梯度递减，促进解键合过程，本发明不仅具有操作简单、高效、可靠等优点，所制备的器件晶圆清洗后表面无损伤，且良品率高。
基本信息
专利标题 ：
一种电磁场辅助激光解键合的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582781A
申请号 ：
CN202210241724.X
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张国平王方成刘强孙蓉
申请人 ：
深圳先进电子材料国际创新研究院;中国科学院深圳先进技术研究院
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区福永街道龙王庙工业区
代理机构 ：
北京市诚辉律师事务所
代理人 ：
范盈
优先权 ：
CN202210241724.X
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 H01L21/56 B23K26/12 B23K26/362 B23K26/70
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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