一种增强出光效率的发光二极管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种增强出光效率的发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管技术领域，该发光二极管包括衬底以及设于衬底上的外延层；在外延层远离衬底一侧的表面设有一粗化处理后的GaP层，其中，GaP层依次包括电流扩展层及高掺杂GaP层，高掺杂GaP层的厚度为300‑500Å，高掺杂GaP层的掺杂剂为镁材料，掺杂浓度为5e19cm‑3‑7e19cm‑3；在粗化处理后的GaP层表面依次设置SiO2介质层及金属镜面层，以使金属镜面层无需通过高温退火工艺与外延层形成欧姆接触。本发明能够解决现有技术中采用高温熔合金属镜面层与外延层，导致金属镜面层结构破坏，影响发光二极管的出光效率的技术问题。
基本信息
专利标题 ：
一种增强出光效率的发光二极管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335277A
申请号 ：
CN202210249109.3
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
窦志珍兰晓雯杨琦贾钊胡加辉金从龙顾伟
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘红伟
优先权 ：
CN202210249109.3
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/22 H01L33/46 H01L33/02 H01L33/00
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/14
申请日 : 20220315
申请日 : 20220315
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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