超材料增强发光效率的蓝光发光二极管及其制备方法
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摘要
本发明涉及超材料增强发光效率的蓝光发光二极管，其包括依次层叠于衬底上的缓冲层、n型GaN层、多重量子阱层、超材料层和p型层，其中，超材料层由双曲超材料单元结构阵列和GaN覆盖层构成，GaN覆盖层与多重量子阱层接触，双曲超材料单元结构阵列由Au和Si层叠而成的双曲超材料单元结构排列而成。由于采用Au和Si按照Thue‑Morse序列交替堆叠构成准周期双曲超材料的独特结构，并且由于准周期双曲超材料结构和量子阱的距离比较近，使得表面等离子激元和多重量子阱之间的耦合效应较强，进而实现蓝光LED的内量子效率的提高。
基本信息
专利标题 ：
超材料增强发光效率的蓝光发光二极管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113066909A
申请号 ：
CN202110299525.X
公开（公告）日 ：
2021-07-02
申请日 ：
2021-03-22
授权号 ：
CN113066909B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
郭志友彭麟杰苏哈杨亚峰孙慧卿
申请人 ：
华南师范大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区中山大道西55号
代理机构 ：
佛山粤进知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
耿鹏
优先权 ：
CN202110299525.X
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/32 H01L33/02 H01L33/00
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2021-07-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20210322
申请日 : 20210322
2021-07-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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