一种提高紫外AlInGaN发光二极管TM模出光效率的方法
授权
摘要
本发明专利公开了一种提高紫外AlInGaN发光二极管TM模出光效率的方法。随着AlInGaN发光二极管Al组分的提高，波长也会逐渐降低，同时TE模出光占主导的出光方式转变成TM模出光占主导。为了提高TM模的出光效率，本发明在刻蚀好的N型电极区和边缘电极区，首先生长钝化层，然后在钝化层区域刻蚀倒梯形结构的反射金属区。倒梯形结构区域蒸镀对紫外光有强反射效率的金属，量子阱中产生的TM光能够经过强反射金属层反射出来，极大地提升了TM模出光效率，从而提高了整个紫外AlInGaN发光二极管的发光强度。
基本信息
专利标题 ：
一种提高紫外AlInGaN发光二极管TM模出光效率的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112713227A
申请号 ：
CN202011558402.5
公开（公告）日 ：
2021-04-27
申请日 ：
2020-12-25
授权号 ：
CN112713227B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
至芯半导体（杭州）有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区河庄街道江东七路599号智造谷
代理机构 ：
北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
彭随丽
优先权 ：
CN202011558402.5
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/06 H01L33/14 H01L33/38 H01L33/46
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2021-05-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20201225
申请日 : 20201225
2021-04-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
