本公开提供了一种提高侧向出光强度的发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极、绝缘层和保护层；N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底的第一表面上；N型电极设置N型半导体层上，P型电极设置在P型半导体层上；绝缘层铺设在凹槽内和N型电极上，以及P型半导体层和P型电极上，保护层铺设在绝缘层上，绝缘层包括依次层叠的钝化层和分布式布拉格反射层，钝化层的与分布式布拉格反射层接触的一面上具有至少一个环形槽，至少一个环形槽内填充有多个氧化铝颗粒。该芯片可以增加芯片在侧面的出光效果，保证芯片在各种观察角度下视觉效果的稳定性。