ESD保护结构及其制备方法
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摘要

本发明提供一种ESD保护结构,包括:全耗尽绝缘体上硅,由下至上包括硅衬底、埋氧层及顶层硅;硅化物层,形成于埋氧层的上表面,且形成于顶层硅的两侧;栅氧层,形成于顶层硅的上表面;隔离层,形成于部分硅化物层的上表面,且形成于栅氧层的两侧;控制栅,形成于部分栅氧层的上表面;可编程栅,形成于部分栅氧层及与其邻接的部分隔离层的上表面,且形成于控制栅的两侧,其中可编程栅与控制栅之间具有间距;源极,形成于顶层硅一侧的硅化物层的上表面,且形成于隔离层远离可编程栅的一侧;漏极,形成于顶层硅另一侧的硅化物层的上表面,且形成于隔离层远离可编程栅的一侧。通过本发明提供的ESD保护结构,解决了现有结构静态漏电较高的问题。

基本信息
专利标题 :
ESD保护结构及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114420690A
申请号 :
CN202210321411.5
公开(公告)日 :
2022-04-29
申请日 :
2022-03-30
授权号 :
CN114420690B
授权日 :
2022-05-31
发明人 :
刘尧李建平刘筱伟班桂春刘海彬刘森
申请人 :
微龛(广州)半导体有限公司
申请人地址 :
广东省广州市高新技术产业开发区科学大道18号A栋十一层1101单元
代理机构 :
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 :
林丽丽
优先权 :
CN202210321411.5
主分类号 :
H01L27/02
IPC分类号 :
H01L27/02  H01L27/12  H01L21/84  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-05-31 :
授权
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20220330
2022-04-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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