一种光掩模保护罩、具有保护结构的光掩模及其制备方法
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摘要

本发明提供一种光掩模保护罩、具有保护结构的光掩模及其制备方法。该光掩模包括:第一透光基板;图形掩膜层,包括两个以上的凸起状图形,凸起状图形形成于第一透光基板的正面;第二透光基板;用于容置所述图形掩膜层的凹陷状图层,包括两个以上的可容置一个或多个凸起状图形的凹槽,凹陷状图层形成于第二透光基板的正面;当第一透光基板的正面与第二透光基板的正面对应叠合设置时,二者可形成密封腔,将图形掩膜层与凹陷状图层封闭于所述密封腔中。本发明可以有效控制光掩模雾化的问题,可以使得图形掩膜层始终保持洁净,并使图形掩膜层始终与外部环境隔离,从而可以控制雾化问题,且不需要定期清洁,大大节省了设备成本和工艺成本。

基本信息
专利标题 :
一种光掩模保护罩、具有保护结构的光掩模及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114114824A
申请号 :
CN202210090140.7
公开(公告)日 :
2022-03-01
申请日 :
2022-01-26
授权号 :
CN114114824B
授权日 :
2022-05-20
发明人 :
季明华任新平黄早红董于虎
申请人 :
上海传芯半导体有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区江山路2699弄1号楼5楼南侧
代理机构 :
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 :
罗泳文
优先权 :
CN202210090140.7
主分类号 :
G03F1/22
IPC分类号 :
G03F1/22  
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IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1/22
用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如X射线掩膜、深紫外掩膜;其制备
法律状态
2022-05-20 :
授权
2022-03-18 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/22
申请日 : 20220126
2022-03-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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