掩模组件及其制备方法
公开
摘要
本公开实施例提供一种掩模组件及其制备方法，其中，该掩模组件包括掩模版，掩模版的周缘设置有夹持槽；夹盖，夹盖的形状与夹持槽的形状适配；掩模版位于夹持槽之外的表面以及夹盖的表面均设置有氧化膜。本公开实施例的技术方案可以避免夹持槽的表面与工艺气体发生反应而生锈或腐蚀，从而避免污染工艺环境。
基本信息
专利标题 ：
掩模组件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582723A
申请号 ：
CN202210210772.2
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王丹名李聪张帅
申请人 ：
京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 ：
北京市铸成律师事务所
代理人 ：
王丹丹
优先权 ：
CN202210210772.2
主分类号 ：
H01L21/32
IPC分类号 ：
H01L21/32 C23C16/04 C25D11/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/32
应用掩膜的
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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