一种超晶格有源层及半导体发光结构的制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种超晶格有源层及半导体发光结构的制作方法，在形成任意单层的InxGa1‑xAs膜的过程中采用第一路镓源气体和第二路镓源气体，第二路镓源气体的流量远小于第一路镓源气体的流量；对于厚度不同的多层InxGa1‑xAs膜，第二路镓源气体的平均流量随着InxGa1‑xAs膜的厚度的增加而增加；和/或，在形成任意单层的InyAl1‑yAs膜的过程中采用第一路铝源气体和第二路铝源气体，第二路铝源气体的流量远小于第一路铝源气体的流量；对于厚度不同的多层InyAl1‑yAs膜，所述第二路铝源气体的平均流量随着InyAl1‑yAs膜的厚度的增加而增加。
基本信息
专利标题 ：
一种超晶格有源层及半导体发光结构的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114481088A
申请号 ：
CN202210401562.1
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-04-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
程洋赵武王俊郭银涛谭少阳张宇荧于涛
申请人 ：
苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区昆仑山路189号科技城工业坊-A区2号厂房-1-102、2号厂房-2-203
代理机构 ：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛异荣
优先权 ：
CN202210401562.1
主分类号 ：
C23C16/30
IPC分类号 ：
C23C16/30 C23C16/52 H01S5/343
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/30
申请日 : 20220418
申请日 : 20220418
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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