一种具有温补结构的薄膜体声波谐振器及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种具有温补结构的薄膜体声波谐振器及其制备方法，属于薄膜体声波谐振器技术领域。本发明通过采用二氧化硅作为温度补偿层，解决了常规薄膜体声波谐振器温度系数为负的问题，从而有效地提高了谐振器的温度稳定性；通过采用氮化硅与二氧化硅共同组成的温度补偿层，解决了单一二氧化硅作为温度补偿层时，对谐振器的Q值和机电耦合系数影响较大的问题；通过采用氟氧化硅作为温度补偿层，解决了二氧化硅作为温度补偿层时，对谐振器性能影响加大的问题，可以有效地帮助谐振器实现高温度稳定性、高Q值和高机电耦合系数；通过采用在压电材料中内嵌温度补偿层的结构，进一步优化温度补偿效果，解决了由温度补偿层所引入的电容的影响。
基本信息
专利标题 ：
一种具有温补结构的薄膜体声波谐振器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114614793A
申请号 ：
CN202210512113.4
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-05-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高安明姜伟
申请人 ：
浙江星曜半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省温州市浙南科技城创新创业新天地一期1号楼506室
代理机构 ：
温州知远专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
刘超
优先权 ：
CN202210512113.4
主分类号 ：
H03H9/17
IPC分类号 ：
H03H9/17 H03H9/02 H03H3/04
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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