电极外围具有两层横向结构的薄膜体声波谐振器制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了电极外围具有两层横向结构的薄膜体声波谐振器制备方法,具体如下:衬底上依次沉积剥离层、压电层和第一电极,第一电极外围依次沉积两个第一下横向结构和两个第二下横向结构;第一电极表面淀积包裹第一电极、两个第一下横向结构和两个第二下横向结构的牺牲层,压电层上沉积包裹牺牲层的保护层;压电层上淀积包裹保护层的待键合层一;待键合层一与待键合层二键合,去除衬底,压电层上沉积第二电极;在压电层上形成通孔来去除牺牲层。本发明在谐振器的下电极外围设置第一下横向结构和第二下横向结构,进一步可在上电极外围设置第一上横向结构和第二上横向结构,这些结构改进能共同优化谐振器的阻抗比,提升谐振器Q值。
基本信息
专利标题 :
电极外围具有两层横向结构的薄膜体声波谐振器制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114268291A
申请号 :
CN202111625393.1
公开(公告)日 :
2022-04-01
申请日 :
2021-12-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
轩伟鹏张标石林豪董树荣金浩骆季奎李文钧孙玲玲
申请人 :
杭州电子科技大学
申请人地址 :
浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
代理机构 :
浙江千克知识产权代理有限公司
代理人 :
周雷雷
优先权 :
CN202111625393.1
主分类号 :
H03H3/02
IPC分类号 :
H03H3/02
法律状态
2022-04-19 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 3/02
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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