用于离子镀膜的冷U阴极装置
被视为撤回的申请
摘要
一种用于离子镀膜技术的冷U阴极装置，属于离子镀膜技术领域。传统的冷电弧阴极镀膜装置存在进气方式欠佳，阴极内衬和自加热衬套不好，电弧不能偏转等缺点。本发明的冷U阴极镀膜装置进气方式好，发射电流大，电弧可偏转、阴极内衬和自加热衬套性能好，可以镀金属件或塑料制品，镀膜质量高、色泽鲜艳、价格便宜。
基本信息
专利标题 ：
用于离子镀膜的冷U阴极装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85103651A
申请号 ：
CN85103651
公开（公告）日 ：
1987-04-15
申请日 ：
1985-05-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王殿儒田大准
申请人 ：
中华钛金研究所
申请人地址 ：
北京市东皇城根甲20号
代理机构 ：
北京市专利事务所
代理人 ：
王敬智
优先权 ：
CN85103651
主分类号 ：
C23C14/28
IPC分类号 ：
C23C14/28
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/28
波能法或粒子辐射法
法律状态
1989-08-23 ：
被视为撤回的申请
1987-09-16 ：
实质审查请求
1987-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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