带有保护膜的硅抛光片与外延片
专利权的终止
摘要
该实用新型属于半导体材料，即带有保护膜的硅抛光片与外延片。保护膜的厚度500以上；保护膜可是有机物，也可是无机物，如SiO2、Al2O3、或光刻胶、硅油等等。合格的硅抛光片与外延片加上保护膜以后，可以用袋装或盒装长期存放和远途运输，使硅抛光片与外延片不沾污、不划伤，以保持其高完美度与高洁净度。以利提高半导体材料的质量，从而提高半导体器件的质量。此保护膜生产工艺简单、成本低。
基本信息
专利标题 ：
带有保护膜的硅抛光片与外延片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN85203385.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1985-08-16
授权号 ：
CN85203385U
授权日 ：
1986-07-23
发明人 ：
刘玉岭
申请人 ：
河北工学院
申请人地址 ：
天津市红桥区丁字沽一号路
代理机构 ：
天津市专利事务所
代理人 ：
李国茹
优先权 ：
CN85203385.0
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
1989-11-29 ：
专利权的终止
终止日 : 19870204
1987-02-04 ：
授权
1986-07-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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