多用对向靶溅射仪
专利权的终止
摘要
本实用新型涉及溅射技术领域。其具有两对对向靶，磁场和靶面垂直，并且同电场一起，起到约束等离子体的作用，液氮盒可有效地控制溅射时基板的温度，可连续旋转基板架和带状基板用基板架可保证溅射出的薄膜均匀性更好，故此设备能够实现高速、低温，几乎无偏析的溅射，可以制备多种材料的薄膜，外延单晶薄膜。对于生产和科研提供了快速、方便的良好设备和手段。
基本信息
专利标题 ：
多用对向靶溅射仪
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN86204865.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1986-07-09
授权号 ：
CN86204865U
授权日 ：
1987-12-05
发明人 ：
姜恩永刘玉光李华张西祥吕旗任敬
申请人 ：
天津大学
申请人地址 ：
天津市南开区七里台
代理机构 ：
天津大学专利代理事务所
代理人 ：
王国欣
优先权 ：
CN86204865.6
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
1990-12-19 ：
专利权的终止
1988-06-15 ：
授权
1987-12-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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