由水平拉带工艺制造的硅带切割
视为撤回的专利申请
摘要
从由水平拉带工艺制造的硅带(4)切割盘状硅片，其中用一条石墨纤维编织带(1)作要结晶的硅的载体，用位于熔体槽(3)上方和下面的，并上下对准的热源(7)使熔化的液体硅(2)结晶，用下属方法实现切割：以一定的预先给出的，与用于太阳能电池的硅片大小相应的间隔(2A)通过一起运行的(V2＝V1)屏蔽体(6)降低熔体表面(2)上方的辐射损失(5)，使得限定的区域内不发生固化，由此在硅带(4)中形成一条切割条(11)。该方法能够实现太阳能电池用硅片的连续生产。
基本信息
专利标题 ：
由水平拉带工艺制造的硅带切割
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87103690A
申请号 ：
CN87103690
公开（公告）日 ：
1988-01-13
申请日 ：
1987-06-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
理查德·福尔肯伯格格哈特·霍伊勒约瑟夫·格拉布梅尔
申请人 ：
西门子公司
申请人地址 ：
联邦德国慕尼黑
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
吴秉芬
优先权 ：
CN87103690
主分类号 ：
C30B15/06
IPC分类号 ：
C30B15/06 C30B15/14 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/06
非垂直提拉
法律状态
1991-02-13 ：
视为撤回的专利申请
1988-11-23 ：
实质审查请求
1988-01-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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