十字梁岛结构的硅力传感器
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
本实用新型属半导体力传感器领域，包括硅膜芯片、力敏器件、陶瓷管座、玻璃底板几个部分。其中硅膜芯片设计成十字梁岛结构形式，力敏器件设置在应变梁接近边框的端点处，用半导体离子注入工艺制作。与通常的力传感器相比，本器件体积小，灵敏度高，而且稳定性、一致性也好，成本也较低。可广泛应用于小量程范围的力的测量、医用脉波测量等领域。
基本信息
专利标题 ：
十字梁岛结构的硅力传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN89208086.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1989-05-30
授权号 ：
CN2049351U
授权日 ：
1989-12-13
发明人 ：
王言鲍敏杭
申请人 ：
复旦大学
申请人地址 ：
上海市邯郸路220号
代理机构 ：
复旦大学专利事务所
代理人 ：
陆飞
优先权 ：
CN89208086.8
主分类号 ：
G01L1/20
IPC分类号 ：
G01L1/20 G01L9/02 H01L49/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L1/00
力或应力的一般计量
G01L1/20
通过测量固体材料或导电流体欧姆电阻变化；应用动力电池，即施加应力后会产生或改变其电位的液体电池
法律状态
1992-09-23 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1990-08-29 ：
授权
1989-12-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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