提高锗酸铋(BGO)晶体抗辐照损伤技术
公开
摘要
本发明用稀土氧化物Eu2O3掺杂BGO晶体，使该晶体的辐照损伤有很大改善。本技术简单可靠。铕掺杂BGO晶体的散射颗粒，透光特性，能量分辨率，光输出和均匀性与纯净晶体相似，但如果掺杂量稍大，荧光衰减就会产生一个时间常数为4mes的余辉。
基本信息
专利标题 ：
提高锗酸铋(BGO)晶体抗辐照损伤技术
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1060687A
申请号 ：
CN90102951.3
公开（公告）日 ：
1992-04-29
申请日 ：
1990-10-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谢幼玉殷之文魏宗英沈定中
申请人 ：
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 ：
200050上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
聂淑仪
优先权 ：
CN90102951.3
主分类号 ：
C30B29/32
IPC分类号 ：
C30B29/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
C30B29/22
复合氧化物
C30B29/32
钛酸盐；锗酸盐；钼酸盐；钨酸盐
法律状态
1992-04-29 ：
公开
1991-03-20 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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