提高锗酸铋(BGO)晶体抗辐照损伤技术
公开
摘要
本发明用稀土氧化物Eu2O3掺杂BGO晶体,使该晶体的辐照损伤有很大改善。本技术简单可靠。铕掺杂BGO晶体的散射颗粒,透光特性,能量分辨率,光输出和均匀性与纯净晶体相似,但如果掺杂量稍大,荧光衰减就会产生一个时间常数为4mes的余辉。
基本信息
专利标题 :
提高锗酸铋(BGO)晶体抗辐照损伤技术
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1060687A
申请号 :
CN90102951.3
公开(公告)日 :
1992-04-29
申请日 :
1990-10-09
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
谢幼玉殷之文魏宗英沈定中
申请人 :
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 :
200050上海市长宁区长宁路865号
代理机构 :
中国科学院上海专利事务所
代理人 :
聂淑仪
优先权 :
CN90102951.3
主分类号 :
C30B29/32
IPC分类号 :
C30B29/32
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
C30B29/22
复合氧化物
C30B29/32
钛酸盐;锗酸盐;钼酸盐;钨酸盐
法律状态
1992-04-29 :
公开
1991-03-20 :
实质审查请求已生效的专利申请
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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