真空串联式等离子体沉积设备
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种真空串联式等离子体汽相沉积设备。为了高效制备例如高质量ＩＴＯ薄膜，它包括位于设备流水线两端的衬底的出、入口，可独立地抽真空的汽相沉积区和与其前后串接的抽真空区，和使衬底连续通过的输送装置，其特征是还具有汽相源物质供应装置和高频激发装置，前者中至少一个汽相沉积区具有位于圆形保护板上连接驱动装置并水平旋转的转动轴和在同心表面上的汽相源物质安装区；后者装有衬底下方的线圈状电极。
基本信息
专利标题 ：
真空串联式等离子体沉积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1080332A
申请号 ：
CN93105935.6
公开（公告）日 ：
1994-01-05
申请日 ：
1993-05-20
授权号 ：
CN1044012C
授权日 ：
1999-07-07
发明人 ：
村山洋一成田俊雄
申请人 ：
村山洋一;株式会社辛克龙;伊藤忠精密化学制品株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
马江立
优先权 ：
CN93105935.6
主分类号 ：
C23C14/32
IPC分类号 ：
C23C14/32
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/32
爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法
法律状态
2005-07-20 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1999-07-07 ：
授权
1995-09-06 ：
实质审查请求的生效
1994-01-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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