激光蒸发装置及应用该装置的半导体形成法
专利申请的视为撤回
摘要
本发明目的在于向Ⅱ-Ⅵ族半导体添加高浓度的P型杂质。通过使脉冲喷嘴喷出的激发氮气向基板的照射与对Ⅱ-Ⅵ族半导体构成元素靶的脉冲激光照射交替地进行，形成添加氮的化合物。
基本信息
专利标题 ：
激光蒸发装置及应用该装置的半导体形成法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1094848A
申请号 ：
CN94102046.0
公开（公告）日 ：
1994-11-09
申请日 ：
1994-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吉田善一伊东克通水口信一三露常男大川和宏
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
上海专利事务所
代理人 ：
赵国华
优先权 ：
CN94102046.0
主分类号 ：
H01L21/363
IPC分类号 ：
H01L21/363 H01L21/38 C23C14/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34
具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/36
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/363
应用物理沉积，例如真空沉积、溅射
法律状态
1996-11-20 ：
专利申请的视为撤回
1994-11-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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