用于电子元件制造框架的预处理方法和设备
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
提供了一种用于冲切制备的电子元件制造框架的预处理方法。该方法包括朝框架喷射夹带在高速气流中的磨砂，其中磨砂具有的平均直径不大于200微米，最好为不大于100微米，特别是不大于50微米。用玻璃制造磨砂更为有利。
基本信息
专利标题 ：
用于电子元件制造框架的预处理方法和设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1093492A
申请号 ：
CN94104893.4
公开（公告）日 ：
1994-10-12
申请日 ：
1994-03-22
授权号 ：
CN1034895C
授权日 ：
1997-05-14
发明人 ：
山春荣吉
申请人 ：
山春荣吉
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN94104893.4
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L23/50 H01L23/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2003-05-14 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1999-08-25 ：
著录项目变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 山春荣吉
变更后 : 涩谷工业株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本大阪
变更后 : 日本石川县
变更前 : 山春荣吉
变更后 : 涩谷工业株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本大阪
变更后 : 日本石川县
1997-05-14 ：
授权
1995-05-03 ：
实质审查请求的生效
1994-10-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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