非挥发性存储器设定值加载方法与其存储器装置
专利权的终止
摘要
一种非挥发性存储器设定值加载方法与其存储器装置，是于存储器装置制作之初，先将特定兼容的存储器设定值加载至其中一非挥发性存储区块(Non－Volatile memoryblock)中预设的预载区，其中预载该非挥发性存储器类型的各种参数信息，于此存储器装置整备时，即将此预载区的信息加载至此存储器装置的随机存取存储器中(RAM)，以节省公知使用只读存储器(ROM)记载该类型的空间，并于激活存储器装置后，利用一加载手段由预载区加载该非挥发性存储器设定值至该存储器装置的一随机存取存储器中，藉以达成该存储器装置的制作或韧体更新的流程。
基本信息
专利标题 ：
非挥发性存储器设定值加载方法与其存储器装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1937083A
申请号 ：
CN200510105385.9
公开（公告）日 ：
2007-03-28
申请日 ：
2005-09-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张琦栋陈弘钧王庆文
申请人 ：
安国国际科技股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省台北市
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
李强
优先权 ：
CN200510105385.9
主分类号 ：
G11C16/20
IPC分类号 ：
G11C16/20 G06F12/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/10
编程或数据输入电路
G11C16/20
初始化；数据预置；芯片识别
法律状态
2017-11-03 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G11C 16/20
申请日 : 20050923
授权公告日 : 20100505
终止日期 : 20160923
申请日 : 20050923
授权公告日 : 20100505
终止日期 : 20160923
2010-05-05 ：
授权
2007-05-23 ：
实质审查的生效
2007-03-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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