一种检测氮化镓基发光二极管质量优劣的方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种检测氮化镓基半导体发光二极管质量优劣的方法。它是根据GaN基半导体发光二极管中存在的压电效应和InN类量子点结构，通过测量在不同注入电流下，发光峰位的蓝移量来判断发光二极管性能的优劣。在相同注入电流下，如果发光峰位蓝移量越大，电流的注入效率就越高，电流在芯片、电极、支架、引线等器件各个部分上的损失就越小。这就说明制造发光二极管的各个工艺过程，如材料生长、电极加工、封装控制的比较好，产品的质量相对就比较高。本发明具有操作简单，易于批量使用的特点。
基本信息
专利标题 ：
一种检测氮化镓基发光二极管质量优劣的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1776442A
申请号 ：
CN200510110630.5
公开（公告）日 ：
2006-05-24
申请日 ：
2005-11-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陆卫夏长生李志锋李宁王少伟张波陈平平陈效双陈明法
申请人 ：
中国科学院上海技术物理研究所;上海蓝宝光电材料有限公司
申请人地址 ：
200083上海市玉田路500号
代理机构 ：
上海新天专利代理有限公司
代理人 ：
田申荣
优先权 ：
CN200510110630.5
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01M11/02 G01J3/00 G01J1/00 H01L21/66
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2019-11-12 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20051123
授权公告日 : 20071212
终止日期 : 20181123
申请日 : 20051123
授权公告日 : 20071212
终止日期 : 20181123
2007-12-12 ：
授权
2006-07-19 ：
实质审查的生效
2006-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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