一种氮化物发光二极管的制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种氮化物发光二极管的制备方法，依次包括：处理蓝宝石衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的n型GaN层、生长第一半导体层、生长第二半导体层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长第一半导体层为生长形成V型坑的GaN层，生长第二半导体层为生长掺碳、氢和氧的GaN层。本发明通过引入第一半导体层和第二半导体层来改善Droop现象，进而提升LED的发光效率，并提升抗静电能力。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化物发光二极管的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284406A
申请号 ：
CN202111624036.3
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐平唐海马
申请人 ：
湘能华磊光电股份有限公司
申请人地址 ：
湖南省郴州市白露塘有色金属产业园
代理机构 ：
长沙七源专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张勇
优先权 ：
CN202111624036.3
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/24 H01L33/06 H01L33/14 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/12
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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