去除栅极结构中硬膜层的方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明提供了一种去除栅极结构中硬膜层的方法，所述栅极结构已经过栅极蚀刻处理，包括半导体基体、栅极氧化物层、栅极材料层以及硬膜层，所述的栅极氧化物层和硬膜层含有相同成分物质，包括：涂覆保护层；蚀刻所述保护层，露出所述硬膜层而仍覆盖所述栅极氧化物层时停止蚀刻；去除所述硬膜层；去除剩余的保护层。当硬膜层含有和所述栅极氧化物层相同成分的物质，由于本发明所提供的方法在去除硬膜层时或者去除与所述栅极氧化物层相同成分的物质层时，仅仅露出所述栅极结构的硬膜层，栅极氧化层周围仍然涂覆有保护层，保护栅极氧化层不会受到蚀刻，从而保证半导体器件的性能和质量。
基本信息
专利标题 ：
去除栅极结构中硬膜层的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1992172A
申请号 ：
CN200510112389.X
公开（公告）日 ：
2007-07-04
申请日 ：
2005-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
迟玉山马擎天张世谋杜珊珊
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址 ：
201203上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
逯长明
优先权 ：
CN200510112389.X
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/336
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2010-03-10 ：
发明专利申请公布后的驳回
2007-08-29 ：
实质审查的生效
2007-07-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1992172A.PDF
PDF下载
