镀覆衬底、非电解镀方法及使用了该方法的电路形成方法
专利权的终止
摘要
能够使镀铜良好地附着于各基材上的镜面状被处理面，据此在能够形成精细间距的布线图案的同时，形成高频特性良好的电路。具有下述工序：使用氯化锡溶液和氯化钯溶液，并在含有玻璃成分的陶瓷基材上形成第1催化层的第1催化工序；在含有氧的气体介质内加热上述陶瓷基材的镀铜前热处理工序；使用氯化锡溶液和氯化钯溶液，并在陶瓷基材上形成层叠催化层的层叠催化处理工序；使用含有微量的镍离子的镀铜液在陶瓷基材上形成镀铜膜的镀覆处理工序；采用玻璃转变温度或以下的热处理温度来加热陶瓷基材的镀铜后热处理工序。
基本信息
专利标题 ：
镀覆衬底、非电解镀方法及使用了该方法的电路形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1763245A
申请号 ：
CN200510116402.9
公开（公告）日 ：
2006-04-26
申请日 ：
2005-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
三森健一
申请人 ：
阿尔卑斯电气株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
陈建全
优先权 ：
CN200510116402.9
主分类号 ：
C23C18/38
IPC分类号 ：
C23C18/38 C23C18/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18/00
通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆；接触镀
C23C18/16
还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18/31
用金属镀覆
C23C18/38
镀铜
法律状态
2018-10-12 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C23C 18/38
申请日 : 20051021
授权公告日 : 20101229
终止日期 : 20171021
申请日 : 20051021
授权公告日 : 20101229
终止日期 : 20171021
2010-12-29 ：
授权
2006-06-14 ：
实质审查的生效
2006-04-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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