控制用于读传感器限定的掩模轮廓的方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种用于构造磁致电阻传感器的方法，其避免了传感器限定期间掩模结构的遮蔽效应。该方法包括抗反射涂覆(ARC)及沉积在其上的光致抗蚀剂掩模的使用。形成该光致抗蚀剂掩模以覆盖所需传感器区域，留下非传感器区域暴露着。实施反应离子蚀刻以转印该光致抗蚀剂掩模的图案到下面的该ARC层上。该反应离子蚀刻(RIE)实施时具有较高的电极台板功率。此更高的电极台板功率增加了晶片的离子轰击，从而相对于化学部分增加了材料去除的物理(即机械)部分。该材料去除的物理部分的增加导致该光致抗蚀剂掩模材料相对于该耐离子研磨掩模的增加的去除速率。这避免了球根状或蘑菇形的光致抗蚀剂掩模的形成，因此避免了随后的制造工艺期间的遮蔽效应。
基本信息
专利标题 ：
控制用于读传感器限定的掩模轮廓的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812150A
申请号 ：
CN200510118431.9
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2005-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
理查德·J·康特雷拉斯迈克尔·费尔德鲍姆穆斯塔法·M·皮纳巴西
申请人 ：
日立环球储存科技荷兰有限公司
申请人地址 ：
荷兰阿姆斯特丹
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李晓舒
优先权 ：
CN200510118431.9
主分类号 ：
H01L43/12
IPC分类号 ：
H01L43/12
法律状态
2011-01-05 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101029299021
IPC(主分类) : H01L 43/12
专利号 : ZL2005101184319
申请日 : 20051028
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20091130
号牌文件序号 : 101029299021
IPC(主分类) : H01L 43/12
专利号 : ZL2005101184319
申请日 : 20051028
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20091130
2009-03-11 ：
授权
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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