磁阻性随机存取存储阵列
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摘要
本发明是一种磁阻性随机存取存储阵列，具体涉及磁阻性随机存取存储器元件，包括一拥有磁阻堆叠的磁阻性随机存取存储器阵列。该磁阻性随机存取存储器阵列亦包括一系列耦接至该等磁阻堆叠的位线与字线。借该磁阻性随机存取存储器阵列的电路布局方式，可增加沿着一共同导体相邻接的磁阻堆叠间的距离，而降低邻近存储单元间的相互干扰，却不必增加该磁阻性随机存取存储器阵列的电路布局总面积。邻近的磁阻堆叠被交错排列。耦接至一共同字线或一共同位线的磁阻堆叠可交错排列。该交错排列的电路布局方式可使磁阻性随机存取存储器阵列在固定的面积下，增加相邻近的磁阻堆叠间的距离，因而降低诸如于进行存储器写入动作时邻近的磁阻堆叠相互间的干扰。
基本信息
专利标题 ：
磁阻性随机存取存储阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1815623A
申请号 ：
CN200510127722.4
公开（公告）日 ：
2006-08-09
申请日 ：
2005-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
彭远清林学仕陈伟铭
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510127722.4
主分类号 ：
G11C11/15
IPC分类号 ：
G11C11/15 H01L43/08 H01L27/105 H01L27/22
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/00
以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件
G11C11/02
应用磁性元件的
G11C11/14
应用薄膜元件的
G11C11/15
应用多层磁性层的
法律状态
2013-03-06 ：
授权
2006-10-04 ：
实质审查的生效
2006-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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