CMOS图像传感器的滤色器阵列及其重新形成方法
专利权的终止
摘要
本发明提供了一种CMOS图像传感器的滤色器阵列及其重新形成方法，其中，该方法包括以下步骤：通过去除第一微透镜、第一外涂层材料图样、以及第一滤色器阵列来暴露第一盖氧化层；去除所暴露的第一盖氧化层；在半导体衬底的整个表面上形成第二盖氧化层；在第二盖氧化层上形成与单位像素阵列区相对应的第二滤色器阵列；在第二滤色器阵列上形成第二外涂层材料图样；通过选择性地蚀刻第二盖氧化层来暴露金属焊盘；以及在第二外涂层材料图样上形成第二微透镜。
基本信息
专利标题 ：
CMOS图像传感器的滤色器阵列及其重新形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1801494A
申请号 ：
CN200510131914.2
公开（公告）日 ：
2006-07-12
申请日 ：
2005-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
车东权
申请人 ：
东部亚南半导体株式会社
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
余刚
优先权 ：
CN200510131914.2
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L21/822
法律状态
2014-02-12 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101570138487
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利号 : ZL2005101319142
申请日 : 20051215
授权公告日 : 20090527
终止日期 : 20121215
号牌文件序号 : 101570138487
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利号 : ZL2005101319142
申请日 : 20051215
授权公告日 : 20090527
终止日期 : 20121215
2009-05-27 ：
授权
2006-09-06 ：
实质审查的生效
2006-07-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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