曝光条件设定方法、衬底处理装置和计算机程序

专利权的终止

摘要

在具有被刻蚀层的测试衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，分别改变曝光量和聚焦值，以预定的测试图形对抗蚀剂膜的多个部位进行逐次曝光、显影，在上述多个部位形成抗蚀剂图形。然后，对被刻蚀膜进行刻蚀，剥离抗蚀剂图形，通过散射测量技术测定上述多个部位的被刻蚀膜的图形的形状，根据逐次曝光的曝光量以及聚焦值、抗蚀剂图形的线宽和刻蚀图形的线宽，决定为了得到所希望形状的刻蚀图形所允许的曝光量和聚焦值的组合的管理范围。

基本信息

专利标题：

曝光条件设定方法、衬底处理装置和计算机程序

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101061568A

申请号：

CN200580039229.5

公开（公告）日：

2007-10-24

申请日：

2005-11-08

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

泽井和夫园田明弘

申请人：

东京毅力科创株式会社

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

王岳

优先权：

CN200580039229.5

主分类号：

H01L21/027

IPC分类号：

H01L21/027 G03F7/20