操作相变随机存取存储器的方法
授权
摘要
本发明提供一种操作包括开关器件和存储节点的相变随机存取存储器的方法，所述存储节点包括相变层。该方法包括对所述存储节点施加重置电流，所述重置电流从所述相变层的下部分朝向所述相变层的上部分流经所述相变层且小于1.6mA，从而将所述相变层的一部分变为非晶态。
基本信息
专利标题 ：
操作相变随机存取存储器的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825613A
申请号 ：
CN200610005737.8
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-01-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐东硕姜闰浩李相睦卢振瑞
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李晓舒
优先权 ：
CN200610005737.8
主分类号 ：
H01L27/24
IPC分类号 ：
H01L27/24 H01L45/00 G11C11/56
法律状态
2009-07-15 ：
授权
2008-02-13 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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