半导体存储设备和伪SRAM

专利权的终止

摘要

提供一种能够减少ECC位数的半导体存储设备。根据发明的实施例的半导体存储设备包括：存储单元阵列；存储ECC位的ECC单元；以及计算ECC位的ECC计算电路，其将第一ECC位计算为用于第一数据的ECC位，该第一数据至少包括一个写数据和存储单元阵列中读取的部分读取数据。

基本信息

专利标题：

半导体存储设备和伪SRAM

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1821971A

申请号：

CN200610005750.3

公开（公告）日：

2006-08-23

申请日：

2006-01-06

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

高桥弘行日比野健次松原宏行

申请人：

恩益禧电子股份有限公司

申请人地址：

日本神奈川

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

穆德骏

优先权：

CN200610005750.3

主分类号：

G06F11/10

IPC分类号：

G06F11/10

IPC结构图谱

G部——物理

G06

计算；推算或计数

G06F

电数字数据处理

G06F11/00

错误检测；错误校正；监控

G06F11/07

响应错误的产生，例如，容错

G06F11/08

用数据表示中的冗余码作错误检测或校正，例如，应用校验码

G06F11/10

对编码信息添加特定的码或符号，例如，奇偶校验、除9或除11校验

法律状态

2015-03-11 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101600530302
IPC(主分类) : G06F 11/10
专利号 : ZL2006100057503
申请日 : 20060106
授权公告日 : 20090916
终止日期 : 20140106

2010-12-29 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件序号 : 101057786754
IPC(主分类) : G06F 11/10
专利号 : ZL2006100057503
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本神奈川
号牌文件类型代码 : 1602

2009-09-16 ：

授权

2006-10-18 ：

实质审查的生效

2006-08-23 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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