半导体存储装置
实质审查的生效
摘要
实施方式的半导体存储装置具备衬底、多个第1字线、第1、第2选择栅极线、第1、第2半导体柱、第1、第2位线、及第1、第2晶体管。多个第1字线在与衬底表面交叉的第1方向上排列。第1、第2选择栅极线在第2方向上延伸，从第1方向上看与多个第1字线重叠。第1、第2选择栅极线在第2方向上排列。第1、第2半导体柱在第1方向上延伸。第1半导体柱与多个第1字线及第1选择栅极线对向。第2半导体柱与多个第1字线及第2选择栅极线对向。第1、第2位线在第3方向上延伸，从第1方向上看与第1、第2半导体柱重叠。第1晶体管电连接于第1选择栅极线。第2晶体管电连接于第2选择栅极线。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497051A
申请号 ：
CN202110804931.7
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-07-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
内海哲章
申请人 ：
铠侠股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
杨林勳
优先权 ：
CN202110804931.7
主分类号 ：
H01L27/11524
IPC分类号 ：
H01L27/11524 H01L27/11529 H01L27/11556 H01L27/1157 H01L27/11573 H01L27/11582
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
H01L27/11524
具有单元选择晶体管的，例如，NAND
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11524
申请日 : 20210716
申请日 : 20210716
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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