半导体装置以及该半导体装置的制造方法
实质审查的生效
摘要
本公开涉及一种半导体装置以及该半导体装置的制造方法。半导体装置包括：单元层叠结构，该单元层叠结构包括交叠层叠的第一单元层叠层和层叠导电层；单元插塞，该单元插塞穿透单元层叠结构；以及单元芯片保护件，该单元芯片保护件围绕单元层叠结构和单元插塞。单元芯片保护件包括保护件半导体层和覆盖保护件半导体层的侧壁的保护件绝缘层。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置以及该半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551468A
申请号 ：
CN202110692916.8
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-06-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金在泽
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘久亮
优先权 ：
CN202110692916.8
主分类号 ：
H01L27/11582
IPC分类号 ：
H01L27/11582 H01L27/1157 H01L27/11573 H01L27/11556 H01L27/11524 H01L27/11529
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11582
申请日 : 20210622
申请日 : 20210622
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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