半导体装置及该半导体装置的制造方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及半导体装置及该半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括单元层叠结构，该单元层叠结构包括交替层叠的第一单元层叠层和层叠导电层。半导体装置还包括虚设层叠结构，该虚设层叠结构包括交替层叠的第一虚设层叠层和第二虚设层叠层。半导体装置还包括贯穿单元层叠结构的单元插塞以及贯穿虚设层叠结构的单元芯片保护件，其中，单元芯片保护件围绕单元层叠结构和单元插塞。单元芯片保护件的底表面的高度与单元插塞的底表面的高度基本相同。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及该半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551464A
申请号 ：
CN202110691540.9
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-06-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金在泽
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘久亮
优先权 ：
CN202110691540.9
主分类号 ：
H01L27/1157
IPC分类号 ：
H01L27/1157 H01L27/11582 H01L27/11524 H01L27/11556
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/1157
申请日 : 20210622
申请日 : 20210622
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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