半导体存储设备
专利权的终止
摘要
一种高密度存储设备，通常包括多个排连接到多个字线、多个位线、和译码器。这种存储设备中各毗邻线之间的电容会引起不希望有的耦合干扰，从而将各信号引入歧途。一种旨在解决上述这些问题的存储设备，其存储单元陈列包括多个位线BL、多个字线WL和多个读出放大器SA。各字线每四个一组进行扭曲，使得各线在其整个长度上与其毗邻接线相隔一段距离，且系配置得使各线之间的耦合电容减小。各字线驱动器以这样的方式配置在阵列两边，使得存储设备的布局达到最佳情况。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1052967A
申请号 ：
CN90106626.5
公开（公告）日 ：
1991-07-10
申请日 ：
1990-07-31
授权号 ：
CN1021997C
授权日 ：
1993-09-01
发明人 ：
闵东宣赵秀仁陈大济
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
匡少波
优先权 ：
CN90106626.5
主分类号 ：
G11C7/02
IPC分类号 ：
G11C7/02 G11C11/40
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/00
数字存储器信息的写入或读出装置
G11C7/02
有避免寄生信号的装置的
法律状态
2010-11-10 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101014882229
IPC(主分类) : G11C 7/02
专利号 : ZL901066265
申请日 : 19900731
授权公告日 : 19930901
终止日期 : 20090831
号牌文件序号 : 101014882229
IPC(主分类) : G11C 7/02
专利号 : ZL901066265
申请日 : 19900731
授权公告日 : 19930901
终止日期 : 20090831
2002-04-24 ：
其他有关事项
1993-09-01 ：
授权
1992-07-08 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1991-07-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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