半导体存储装置

专利权的终止

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摘要

在单元接触垫片方法中，与单元栅电极交叉的连续虚拟单元接触垫片形成在存储单元阵列的外围部分上。虚拟单元接触垫片阻止液体和气体穿过空隙而入侵，并且防止单元接触垫片受腐蚀和具有高电阻率。

基本信息

专利标题：

半导体存储装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1822369A

申请号：

CN200610009205.1

公开（公告）日：

2006-08-23

申请日：

2006-02-15

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

高石芳宏

申请人：

尔必达存储器股份有限公司

申请人地址：

日本东京

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

孙纪泉

优先权：

CN200610009205.1

主分类号：

H01L27/10

IPC分类号：

H01L27/10

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

H01L27/04

其衬底为半导体的

H01L27/10

在重复结构中包括有多个独立组件的

法律状态

2016-03-30 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101653375869
IPC(主分类) : H01L 27/10
专利号 : ZL2006100092051
申请日 : 20060215
授权公告日 : 20090826
终止日期 : 20150215

2013-09-18 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101661052375
IPC(主分类) : H01L 27/10
专利号 : ZL2006100092051
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 尔必达存储器股份有限公司
变更后权利人 : PS4拉斯口有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 卢森堡卢森堡市
登记生效日 : 20130829

2009-08-26 ：

授权

2006-10-18 ：

实质审查的生效

2006-08-23 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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