半导体装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体装置。半导体装置包括一基底、多个第一图案以及多个第二图案。多个第一图案与多个第二图案系设置在基底上，第一图案与第二图案相互平行且交替地沿着第一方向设置。第一图案与第二图案分别具有相对的第一侧与第二侧，各第一图案的第一侧具有一第一凸出部，各第二图案的第二侧具有一第二凸出部，且第一凸出部的面积不同于第二凸出部的面积。该半导体装置内的特定图案布局相对密集且尺寸相对微小，有利于配合后续组件的制作工艺，且提供充足的制作空间。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021070896.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-11
授权号 ：
CN212010970U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
冯立伟
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
霍文娟
优先权 ：
CN202021070896.8
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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