半导体装置
公开
摘要
一种半导体装置包括：衬底，其具有沟槽；沟槽中的导电图案；间隔件结构，其位于导电图案的侧表面上；以及埋置接触件，其包括与导电图案通过间隔件结构间隔开并且填充接触凹部的第一部分以及第一部分上的第二部分，第二部分具有柱形，柱形的宽度小于第一部分的顶表面的宽度。间隔件结构包括：第一间隔件，其在埋置接触件的第一部分上沿着埋置接触件的第二部分延伸，并且接触埋置接触件；第二间隔件，其沿着第一间隔件延伸；以及第三间隔件，其沿着导电图案的侧表面和沟槽延伸，并且与第一间隔件通过第二间隔件间隔开，第一间隔件包括氧化硅，并且第二间隔件包括氮化硅。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334979A
申请号 ：
CN202111150523.0
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金真雅柳镐仁罗载元
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵南
优先权 ：
CN202111150523.0
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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