半导体装置
公开
摘要
提供一种特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括第一绝缘体、第一绝缘体上的晶体管、晶体管上的第二绝缘体、第二绝缘体上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第四绝缘体以及开口区域，开口区域包括第二绝缘体、第二绝缘体上的第三绝缘体以及第三绝缘体上的第四绝缘体，第三绝缘体包括到达第二绝缘体的开口，第四绝缘体在开口内与第二绝缘体的顶面接触。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114616681A
申请号 ：
CN202080075473.1
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山崎舜平长塚修平川田琢也方堂凉太
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
宋俊寅
优先权 ：
CN202080075473.1
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L27/108 H01L21/34
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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